W dniach od 2 kwietnia do 5 kwietnia 2024 r. prowadzone będą prace związane z wdrożeniem nowej wersji systemu Repozytorium UJ. Nie będzie możliwe wprowadzanie nowych informacji do repozytorium. Za utrudnienia przepraszamy.
Thermally induced aryl halide C–C coupling on surfaces of hydrogen-passivated germanium, Ge(001):H, has been investigated by scanning tunneling microscopy at room temperature. It has been shown that an atomic hydrogen buffer layer is essential for C–C coupling to occur. Competition between dehydrogenation of the passivating layer and dehalogenation of molecular precursors as a function of substrate temperature during the deposition of molecules is discussed.
liczba arkuszy wydawniczych:
0,3
wydział: instytut / zakład / katedra:
Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej : Instytut Fizyki im. Mariana Smoluchowskiego
typ:
artykuł w czasopiśmie
podtyp:
artykuł
punktacja MEiN [2015 A]: 35
Pliki tej pozycji
Plik
Rozmiar
Format
Przeglądanie
Nie ma plików powiązanych z tą pozycją.
Pozycja umieszczona jest w następujących kolekcjach