W dniach od 2 kwietnia do 5 kwietnia 2024 r. prowadzone będą prace związane z wdrożeniem nowej wersji systemu Repozytorium UJ. Nie będzie możliwe wprowadzanie nowych informacji do repozytorium. Za utrudnienia przepraszamy.
Simple model of surface roughness for binary collision sputtering simulations
pl
dc.type
JournalArticle
pl
dc.description.physical
17-21
pl
dc.abstract.en
It has been shown that surface roughness can strongly influence the sputtering yield – especially at glancing incidence angles where the inclusion of surface roughness leads to an increase in sputtering yields. In this work, we propose a simple one-parameter model (the "density gradient model") which imitates surface roughness effects. In the model, the target’s atomic density is assumed to vary linearly between the actual material density and zero. The layer width is the sole model parameter. The model has been implemented in the binary collision simulator IMSIL and has been evaluated against various geometric surface models for 5 keV Ga ions impinging an amorphous Si target. To aid the construction of a realistic rough surface topography, we have performed MD simulations of sequential 5 keV Ga impacts on an initially crystalline Si target. We show that our new model effectively reproduces the sputtering yield, with only minor variations in the energy and angular distributions of sputtered particles. The success of the density gradient model is attributed to a reduction of the reflection coefficient – leading to increased sputtering yields, similar in effect to surface roughness.
pl
dc.subject.en
binary collision simulations
pl
dc.subject.en
molecular dynamics
pl
dc.subject.en
sputtering
pl
dc.subject.en
surface roughness
pl
dc.description.volume
393
pl
dc.identifier.doi
10.1016/j.nimb.2016.09.028
pl
dc.identifier.eissn
1872-9584
pl
dc.title.journal
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms
pl
dc.language.container
eng
pl
dc.affiliation
Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej : Instytut Fizyki im. Mariana Smoluchowskiego
pl
dc.subtype
Article
pl
dc.rights.original
bez licencji
pl
.pointsMNiSW
[2017 A]: 25
Pliki tej pozycji
Plik
Rozmiar
Format
Przeglądanie
Nie ma plików powiązanych z tą pozycją.
Pozycja umieszczona jest w następujących kolekcjach